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可改写只读存储器(EPROM)

TIME:2020-05-27   click: 702 次    编辑:南宁棋牌游戏    当前栏目:公司新闻

Description:░PROM是依靠熔断熔丝来写入数据的,但熔丝熔断后是不能恢复的,也就说PROM写入数据后就不能再更改,这不能满足设计时需要反复修改存储内容的需要。为了解决这个问题,又生产出可改░,本文发布时间:2020-05-27,关于【可改写只读存储器(EPROM)】的文章内容即将呈现,预计花费您40秒时间

PROM是依靠熔断熔丝来写入数据的,但熔丝熔断后是不能恢复的,也就说PROM写入数据后就不能再更改,这不能满足设计时需要反复修改存储内容的需要。为了解决这个问题,又生产出可改写只读网络棋牌十大排行榜存储器。

可改写只读存储器的英文缩写为EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory),它具有可写入数据,并且可以将写入的数据擦除,再重新写入数据的特点。

EPROM的结构与固定ROM基本相同,不同之处在于它用一种叠层栅MOS管替代存储单元中普通的MOS管。叠层栅MOS管的结构及构成的存储单元如图16-15所示。

图16-15 叠层栅MOS管的结构及构成的存储单元

图16-15(a)所示为叠层栅MOS管的结构示意图,它有两个栅极(G极),上面的栅极与普通的栅极作用相同,称之为选择栅极,下面的栅极被包围在二氧化硅(SiO2 )绝缘层中,处于悬浮状态,称为浮置栅极。在 EPROM 写入数据前,片内所有的存储单元中的叠层栅 MOS 管的浮置栅极内无电荷,这种情况下的叠层栅MOS管与普通的NMOS管一样。

在没有写入数据时,如果选中某存储单元,该单元的字选线Wi 为棋牌游戏高电平“1”时,叠层栅MOS管处于导通状态,位线Yj 为低电平“0”,再经三态门反相后,在数据线得到“1”。即没写入数据时,存储单元存储数据为“1”。

当往存储单元写入数据时,需要给叠层栅MOS管的漏极(D极)、源极(S极)之间加很高的电压(例如+25V,它由VDD 经NMOS管VT1 送来),然后给字选线Wi 送高幅度的正脉冲(例如宽度为50ms、幅度为25V的脉冲),叠层栅MOS管漏极、源极之间有沟道形成而导通,由于选择栅极电压很高,它产生很大的吸引力,沟道中的一部分电子被吸引而穿过二氧化硅薄层到达浮置栅极,浮置栅极带负电,由于浮置栅极被二氧化硅绝缘层包围,它上面的电子很难放掉,没有外界电压作用时可以长期保存(10年以上)。当高电压改成正常电压后,由于浮置栅极上负电荷的影响,选择栅极电压加+5V 的电压无法使漏极、源极之间形成沟道,即在普通情况下,叠层栅MOS管选择栅极即使加高电平也无法导通,位线Yj =1,经三态门反相后,在数据线D上得到“0”,从而完成往存储单元写“0”的过程。

如果要擦除EPROM存储的信息,可以采用紫外线来照射。让紫外线照射EPROM上的透明石英玻璃窗口(照射时间为15~20min),这样EPROM内部各存储单元中的叠层栅MOS管的浮置栅极上的电子获得足够的能量,又会穿过二氧化硅薄层回到衬底中,叠层栅 MOS 管又相当于普通的MOS管,存储单元存储数据又变为“1”,从而完成了信息的擦除。

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